C3216X7R1E475K
C3216X7R1E475K /1206 475 25V X7R
长度(L) | 3.20mm +/-0.20mm |
宽度(W) | 1.60mm +/-0.20mm |
厚度(T) | 1.60mm +/-0.20mm |
端子宽度(B) | 0.20mm Min. |
端子间隔(G) | 1.00mm Min. |
电气特性 |
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电容 | 4.7uF +/-10% |
额定电压 | 25Vdc |
温度特性 | X7R(+/-15%) |
耗散因数 | 3% Max. |
绝缘电阻 | 106MΩ Min. |
其他 |
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焊接方法 | 回流 |
AEC Q200 | No |
包装形式 | 塑封编带 (180mm卷筒) |
包装个数 | 2000 Pcs Min. |
产品特点:
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大
2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
3.极高的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小,确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低,频率特性良好,故最适合于高频,高密度类型的电源